盘下来，有几个点是确定的：
1、先进制程+3工艺接近量产窗口。这个你别管叫等效5nm还是5.5nm还是6nm，都是一个东西，+3工艺平台出来的。
2、3D DRAM接近国产量产落地。其实从存算的角度来看，这个也是重磅。
3、HBM2e基本跑通，这个前面很多卖方也讲过。关键后续HBM3啥时候跑通。
4、很多设计厂开始贴合7nm工艺或者7nm合封工艺来调整设计，适配后续的国产先进制程扩产。
5、先进制程扩产今年是确定的。
6、大厂海外算力采购趋于紧张，已经有H20都不好拿的状况了。资本开支开始又在快速放大。
所以综合1、2、3、4得出推论一：我们已经完成了全链向7nm以内突破（gkj除外），但是还有测试的问题，流片良率的问题，以及封装的磨合等等问题，这些都是工艺问题。
结合推轮一和5，得出推论二：在扩产之后，工艺也磨合过后，基本可以做到7nm及基于7nm合封的供应扩大。
推论一二和第6点完成逻辑闭环，需求扩大的同时，供给扩大，且产品能力提升。
1、先进制程+3工艺接近量产窗口。这个你别管叫等效5nm还是5.5nm还是6nm，都是一个东西，+3工艺平台出来的。
2、3D DRAM接近国产量产落地。其实从存算的角度来看，这个也是重磅。
3、HBM2e基本跑通，这个前面很多卖方也讲过。关键后续HBM3啥时候跑通。
4、很多设计厂开始贴合7nm工艺或者7nm合封工艺来调整设计，适配后续的国产先进制程扩产。
5、先进制程扩产今年是确定的。
6、大厂海外算力采购趋于紧张，已经有H20都不好拿的状况了。资本开支开始又在快速放大。
所以综合1、2、3、4得出推论一：我们已经完成了全链向7nm以内突破（gkj除外），但是还有测试的问题，流片良率的问题，以及封装的磨合等等问题，这些都是工艺问题。
结合推轮一和5，得出推论二：在扩产之后，工艺也磨合过后，基本可以做到7nm及基于7nm合封的供应扩大。
推论一二和第6点完成逻辑闭环，需求扩大的同时，供给扩大，且产品能力提升。
