突破极限！1mm³ 存储 TB级!（微信文章未删减版）

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本月早些时候，芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员展示了一种技术，该技术能够利用原子大小的晶体缺陷来表示1和0，从而在“仅1mm³大小的小立方体材料内实现极高的密度，存储太字节级别的存储比特(TB)”。

研究中使用的晶体之一，在紫外光下充电。

芝加哥大学普利兹克分子工程学院助理教授及实验室负责人 Tian Zhong ，解释说：“在那个毫米立方体中，我们已在其中制造了带电原子缺陷间隙‘1’和未带电间隙‘0’，我们证明了至少有大约 10 亿个基于原子的存储器——经典存储器、传统存储器。”

博士后研究员、原文第一作者莱昂纳多·弗兰卡（Leonardo França）在解释这一切如何运作的更细节时表示：“我们找到了一种方法，可以将应用于辐射剂量学的固体物理学与一个在量子方面工作很强的研究小组结合起来，尽管我们的工作并不完全是量子。对研究量子系统的人有需求，但同时，提高传统非易失性存储器的存储容量也有需求。我们的工作正是建立在量子和光学数据存储之间的这一交界处。”

换句话说，这项工作源于两个关键来源。首先，现有的辐射剂量计，用于测量人们在医院和粒子加速器中暴露于多少辐射。其次，现有的量子存储研究已经使用晶体缺陷来制造量子比特，而不是存储传统比特。

我们之前也曾报道过在非传统媒介上进行高密度存储的其他一些努力。与这个故事最相关的是号称能在5英寸正方形内实现360TB存储的“5D存储晶体”（参考阅读：‘5D’晶体存储可保存人类基因组几十亿年！）……但考虑到一毫米立方体内至少能存储2-3TB，然而，考虑到一毫米立方体内至少能存储2-3太字节的数据，并且5英寸大约相当于127个这样的毫米立方体，因此这些存储晶体在存储容量上似乎至少与那些5D记忆晶体相当，甚至可能更胜一筹。

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